盖世汽车讯 6月7日,推动节能创新的安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出一对1200 V全碳化硅(SiC)MOSFET 2-PACK模块,进一步增强其产物系列,从而顺应充满挑战的电动汽车(EV)市场。

随着电动汽车销量连续增进,基础设施需要不停完善以知足驾驶员需求,如提供快速充电站网络,从而使汽车可以快速完成行程,且不会有“里程焦虑”。随着这种需求不停生长,对于充电功率跨越350 kW,效率跨越95%的要求也成为“常态”。由于部署充电桩的环境和地址多样,设计职员面临着多种挑战,包罗紧凑型、稳健性和增强的可靠性。

(图片泉源:安森美半导体)

全新1200V M1全碳化硅MOSFET 2-PACK模块基于平面手艺打造,适用的驱动电压为18-20 V,且易于使用栅极负电压举行驱动。与沟槽型MOSFET相比,较大的裸芯片可降低热阻,从而在相同事情温度下降低裸芯片温度。

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NXH010P120MNF1设置为2-PACK半桥架构,是接纳F1封装的10 mohm器件,而NXH006P120MNF2是接纳F2封装的6 mohm器件。这些封装接纳压接式引脚,异常适合工业应用,此外还接纳嵌入式负温度系数(NTC)热敏电阻,有助于温度监控。

作为安森美半导体电动汽车充电生态系统的一部门,全新碳化硅MOSFET模块旨在与驱动器解决方案(如NCD5700x器件)一起使用。最近推出的NCD57252双通道隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器提供5 kV的电流隔离,可设置为双下桥、双上桥或半桥事情。

NCD57252接纳小型SOIC-16宽体封装,接受逻辑电平输入(3.3 V、5 V和15 V)。由于典型流传延迟为60ns,该高电流器件(在米勒平台电压下,源电流为4.0 A/灌电流为6.0 A)适合高速事情。

安森美半导体的碳化硅MOSFET与全新模块和栅极驱动器形成互补。与类似的硅器件相比,该碳化硅MOSFE可提供卓越的开关性能和增强的散热性能,从而以提高效率和功率密度、改善电磁滋扰(EMI)、并减小系统尺寸和削减重量。

最近宣布的650 V碳化硅MOSFET接纳新颖的有源单元设计,连系先进的薄晶圆手艺,可为(RDS(on)*area)提供一流的品质因数(FoM)。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC等系列器件可为D2PAK7L / TO247封装的MOSFET提供市场上最低的RDS(on)。

1200 V和900 V N通道碳化硅MOSFET芯片尺寸较小,可降低器件电容和栅极电荷(Qg �C低至220 nC),从而降低电动车充电桩所需高频事情的开关消耗。

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